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普通中走丝-传感器的测试精度-仁光智能
栏目:中走丝线切割资讯 发布时间:2020-10-23 作者: 仁光智能小陈 来源: 网络 浏览量: 500
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普通中走丝,马来西亚国民大学提出了一种基于标准CMOS工艺制造超薄薄膜的方法[11-12]。他们利用SiO2层作为牺牲层来形成绝对压力空腔,氧化层的释放需要利用通道孔让腐蚀剂BOE进入氧化层对其进行腐蚀

普通中走丝马来西亚国民大学提出了一种基于标准CMOS工艺制造超薄薄膜的方法[11-12]。他们利用SiO2层作为牺牲层来形成绝对压力空腔,氧化层的释放需要利用通道孔让腐蚀剂BOE进入氧化层对其进行腐蚀。

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普通中走丝然后采用LPCVD淀积氮化硅来密封通道孔,从而形成厚度仅为2 μm的传感器薄膜。这种加工技术的优点在于传感器可以单片集成,可以使用集成电路(IC)工艺进行制备。

因此,传感器可以和读取电路、通信系统等集成。同时,淀积形成的仅为0.3 μm的空腔高度可以使传感器获得很大的电容式变化值。

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普通中走丝该传感器的测压范围在10 mmHg~75 mmHg(13~100 kPa)之间,很适宜测量人体内的小量程压力,可用于青光眼的治疗。但由于LPCVD的真空度不高,所以绝压空腔实际上并没有达到真空等级,这会削弱传感器的测试精度。美国ISSYS公司在MEMS器件真空封装方面很出色。该公司致力于高真空度的空腔制作技术,制作的空腔真空度小于10-4 Torr。

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